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PSMN7R0-100PS,127  与  IPP028N08N3 G  区别

型号 PSMN7R0-100PS,127 IPP028N08N3 G
唯样编号 A-PSMN7R0-100PS,127 A-IPP028N08N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.8mΩ
上升时间 - 73ns
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 269W 300W
输出电容 438pF -
栅极电压Vgs 3V 20V
典型关闭延迟时间 - 86ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C
连续漏极电流Id 100A 100A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS™
输入电容 6686pF -
长度 - 10mm
Rds On(max)@Id,Vgs 6.8mΩ@10V -
下降时间 - 33ns
典型接通延迟时间 - 28ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税)
20+ :  ¥13.3875
50+ :  ¥10.9734
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN7R0-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R0-100PS_SOT78

¥13.3875 

阶梯数 价格
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